國立中興大學教學大綱 |
課程名稱 | (中) 半導體製造技術(4151) | ||||||||
(Eng.) Semiconductor Manufacturing Technology | |||||||||
開課單位 | 物理系 | ||||||||
課程類別 | 選修 | 學分 | 3 | 授課教師 | 張茂男 | ||||
選課單位 | 物理系 / 學士班 | 授課使用語言 | 中文 | 英文/EMI | N | 開課學期 | 1072 | ||
課程簡述 | 簡介積體電路產業的發展與半導體元件的製作方法。課程中將介紹半導體產業鏈、半導體晶圓、離子佈植與熱處理製程、微影與蝕刻製程、薄膜沉積技術、拋光與平坦化處理,以及製程整合,最後導入半導體元件的應用,與上述製程相關的元件材料分析與可靠度分析方法也將一併於課程中說明。 |
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先修課程名稱 | 課程含自主學習 | N |
課程與核心能力關聯配比(%) | 課程目標之教學方法與評量方法 | ||||||||||||||
課程目標 | 核心能力 | 配比(%) | 教學方法 | 評量方法 | |||||||||||
介紹與半導體製程相關的技術與知識。使學生了解積體電路的整體生產過程以及各個關鍵模組技術的機制、特性與關聯性,期盼未來能以這些知識為基礎,深入從事相關課題的研發。 |
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授課內容(單元名稱與內容、習作/每週授課、考試進度-共18週) | |||||||||||||||
半導體製程簡介至少3小時 半導體晶圓技術至少6小時 離子佈植技術與摻雜分析至少6小時 熱退火處理至少3小時 微影技術至少6小時 蝕刻製程與相關分析技術至少6小時 薄膜成長技術至少4小時 研磨與拋光至少3小時 半導體元件導論至少3小時 製程可靠度分析至少3小時 (第十四週有科技參訪活動) |
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學習評量方式 | |||||||||||||||
出席及課堂參與(10%);製程報告(30%);期中考(30%); 期末考(30%)。 | |||||||||||||||
教科書&參考書目(書名、作者、書局、代理商、說明) | |||||||||||||||
主要參考書籍為: Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology (by Hong Xiao) 歐亞書局 ULSI Technology (by C. Y. Chang and S. M. SZE) 東華書局 [勿使用非法影印教科書] |
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課程教材(教師個人網址請列在本校內之網址) | |||||||||||||||
課程教材將上傳至教學系統。 |
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課程輔導時間 | |||||||||||||||
視需要安排。 |
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聯合國全球永續發展目標(連結網址) | |||||||||||||||
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更新日期 西元年/月/日:無 | 列印日期 西元年/月/日:2025 / 8 / 30 |
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